RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2756
3535
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link