RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
11.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2545
2062
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link