RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
34
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
3302
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link