RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2066
2054
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link