RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link