RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link