RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
40
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2340
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link