RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
3439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link