RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link