RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link