RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2675
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link