RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
9.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2318
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905471-023.A00LF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link