RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
62
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
18.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
4324
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link