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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
62
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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