RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
65
Rund um -160% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link