RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
65
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2181
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link