RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um 32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1610
2110
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link