RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1922
3340
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link