RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
61
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
2213
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link