RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
61
72
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,670.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,529.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.4
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
517
1593
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link