RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
3040
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link