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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Vergleichen Sie
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
56
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,169.5
1,892.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
44
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,181.5
4,680.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,892.9
2,169.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
851
779
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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