RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
72
Rund um 75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
18
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2926
1817
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM-Vergleiche
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link