RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
2346
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link