RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
36
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3220
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link