RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1901
2580
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link