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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
73
Rund um -192% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
4.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.7
9.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1021
2427
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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