RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Gesamtnote
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
38
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2144
3713
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link