RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
42
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.4
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1632
2782
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link