RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2320
2346
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link