RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2063
3260
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Mushkin 996902 2GB
OCZ OCZ3G1333LV2G 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link