RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
80
Rund um -129% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
3.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
80
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.4
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
968
2488
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5428-100.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link