RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
42
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2095
2936
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link