RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
47
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1857
2875
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link