RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
40
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2125
2292
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link