RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1807
3318
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link