RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
3318
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link