RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
6.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
1499
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link