RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
17.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
3757
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link