RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2154
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link