RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
14900
Rund um 1.72 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
14900
25600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
3516
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link