RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
69
73
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
7.9
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
1724
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link