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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
1925
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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