RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
40
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2148
3039
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link