RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2432
2417
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link