RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
75
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
2696
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link