RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3171
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link