RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Vergleichen Sie
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Gesamtnote
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
15.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3693
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link