RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
59
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
15.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3498
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link