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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
70
Rund um 53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
1971
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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